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晶体硅太阳能电池浆料背面铝浆

产品用途 背面铝浆产品主要应用于晶体硅太阳能电池背电场

产品性能

l 与晶体硅片有着良好的热膨胀匹配性;

l 具有优异的印刷性能;

l 具有表面细腻润滑、附着力强、弯曲度小和转换效率高等优点;

l 通过丝网印刷和烧结,能形成良好的BSF层,大大提高开路电压。

性能参数

检测方法

SA139C

SA151A

SA155A

外观

目测

细腻润滑

细腻润滑

细腻润滑

细度(μm

刮板细度计

20.0

20.0

20.0

粘度

Pa·s

Brookfield 粘度计 RVDC-C25

40±10.0

40±10.0

40±10.0

固含量

%

高温炉 40030min

75.0±5.0

75.0±5.0

75.0±5.0

干燥膜厚

μm

KYKY-3200

扫描电镜

30.0±5.0

30.0±5.0

30.0±5.0

烧结膜厚

μm

KYKY-3200

扫描电镜

20.0±5.0

20.0±5.0

20.0±5.0

烧后方阻

mΩ/□

方阻仪 DMR-1C25

15

15

15

附着力

单面EVA

电池片转换效率

效率测试仪

单晶硅,平均转换效率≥18.4%

多晶硅,平均转换效率≥16.8%

主要特点

综合性能好

高转换效率

低翘曲

印刷工艺

l 浆料搅拌:每罐浆料充分搅拌3~6h

l 丝网参数:250目,感光膜厚度10μm,线径30μm,张力30N

l 印刷参数:网版间距:1.1-1.6mm,印刷压力70-85N,印刷速度250-300mm/s

客户印刷耗量反馈

单晶片125*125

浆料型号

平均耗量

浆料型号

平均耗量

参考

0.90g

参考

0.83g

SA139C

0.85g

SA155A

0.78g

多晶片156*156

浆料型号

平均耗量

浆料型号

平均耗量

参考

1.385g

参考

1.360g

SA139C

1.380g

SA155A

1.350g

烧结工艺

烧结工艺窗口较宽,最高烧结温度可以设置在850-940之间,以下推荐两套烧结工艺,以Despatch烧结炉为参考。

单晶125*125的烧结工艺:

1 单晶125*125烧结工艺图

烧结设置温度(℃)

250

240

220

625

635

680

700

775

895

实际温度(℃):

240

230

215

515

530

570

590

655

770

Despatch烧结炉,其他烧结炉工艺略有不同,仅供参考)

多晶156*156的烧结工艺如下图:

2 多晶156*156烧结工艺图

烧结设置温度(℃)

255

255

240

630

640

685

705

785

905

实际温度(℃):

245

240

230

520

535

575

595

660

775

Despatch烧结炉,其他烧结炉工艺略有不同,仅供参考)

干燥膜厚 烧结膜厚

3 背铝浆干燥和烧结膜厚

 
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